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DGIST(총장 신성철) 신물질과학전공 유천열 교수 연구팀이 중금속과 강한 자성체 사이 계면에서 스핀 소용돌이를 만들어 내는 새로운 방법을 제시했다.
비대칭 교환 상호작용(DMI)을 정량적으로 측정하는 새로운 방법인 이 기술은 연구실에서 사용하는 저가의 장비를 이용해 스핀 기반 차세대 메모리 소자 개발 및 연구에 활용할 수 있을 것으로 기대된다.
유천열 교수 연구팀은 이번에 개발한 방법을 이용한 DMI 측정값과 기존에 활용하던 방법으로 측정한 DMI 값이 일치함을 확인했다.
이 측정 방법을 이용할 경우 시간과 비용을 크게 절감하고 연구자들이 용이하게 이용할 수 있어 DMI 제어기술 개발 및 스커미온 기반 스핀 메모리 소자 개발에 기여할 것으로 기대된다.
유천열 교수는 “새롭게 제시한 방법을 사용하면 대부분의 실험실에서 사용하고 있는 저가의 장비를 이용해 DMI 값을 정확히 측정할 수 있다”며 “향후 기존 메모리에 비해 저장 용량이 수십에서 수백배 크고, 동작 속도도 수천배 빠른 제2세대 스핀 기반 메모리 소자 개발에 핵심적인 기술이 될 것”이라고 말했다.
한편, 이번 연구 성과는 미국 화학회에서 발행하는 나노 분야 세계적 권위의 국제학술지 나노 레터스(Nano Letters) 온라인판 지난달 27일자에 게재됐다.